Высоковольтные MOSFET по технологии Super-Junction – аналоги серии K5 STM
Компания Maspower представила серию высоковольтных n-канальных MOSFET, являющихся аналогами серии MDmesh K5 компании STMicroelectronics. Транзисторы изготовлены по технологии super-junction (SJ), что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала при высоком напряжении пробоя.
SJ технология – это архитектура силовых MOSFET, в которой вместо однородного полупроводникового слоя используется чередование вертикальных p- и n-областей. Такое построение выравнивает электрическое поле внутри кристалла, позволяя выдерживать высокие напряжения (до 1000-1700 В) при значительно меньшем удельном сопротивлении канала. Транзисторы характеризуются малым временем переключения, малым зарядом затвора и зарядом обратного восстановления.
Основные технические характеристики
- Номинальное напряжение пробоя: до 1000 В
- Максимальный ток стока: до 25 А
- Сопротивление открытого канала: от 0,26 Ом
- Заряд затвора: от 15 нКл
- Обратная проходная ёмкость: от 1,5 пФ
- Время включения: от 27 нс (время открытия и передний фронт)
- Время выключения: от 51 нс (время закрытия и задний фронт)
- Рабочий температурный диапазон: -55…150°C
- Типы корпуса: TO-220, TO-220F, TO-247, TO-263
Применение
- Импульсные источники питания
- Промышленные приводы
- LED-драйверы
Материалы для скачивания
Для получения дополнительной информации обращайтесь по адресу: v.kulikova@aoepsilon.ru, Варвара Куликова.
